เวสเทิร์นดิจิตอลย้ำผู้นำตลาดผลิตชิปมิติแบบ 96 เลเยอร์
เวสเทิร์น ดิจิตอล เผยผลสำเร็จพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำชิป NAND แบบ 3 มิติ (3D NAND) รุ่นใหม่ล่าสุดเก็บข้อมูลแนวตั้งแบบ 96 เลเยอร์ คาดว่าเริ่มเดินสายการผลิตในปีตามปฏิทิน 2561 เบื้องต้นจะเริ่มใช้งานชิปขนาด 256 กิกกะไบต์ก่อนและจะขยายศักยภาพของหน่วยความจำให้มีมากขึ้น โดยครอบคลุมไปถึงระดับเทระบิตบนชิปเดี่ยว
ดร.ศิวะ ศิวะราม รองประธานบริหาร ฝ่ายเทคโนโลยีหน่วยความจำของบริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอลคอร์ปอเรชั่น เปิดเผยว่าบริษัทความสำเร็จในการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำชิป NAND แบบสามมิติ (3D NAND) รุ่นใหม่ล่าสุดซึ่งใช้ชื่อว่า “BiCS4” มาพร้อมศักยภาพการเก็บข้อมูลแนวตั้งแบบ 96 เลเยอร์ โดยคาดว่าลูกค้าที่รับจ้างผลิต (OEM) จะได้ทดสอบใช้งานเทคโนโลยีหน่วยความจำล่าสุดนี้ในช่วงครึ่งปีหลังตามปฏิทินพ.ศ. 2560 และเริ่มเดินสายการผลิตในปีตามปฏิทิน พ.ศ.2561 ทั้งนี้ “BiCS4” เกิดจากการพัฒนาร่วมกันระหว่าง บริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอล และบริษัทคู่ค้า โตชิบา คอร์ปอเรชั่น โดยเบื้องต้นจะเริ่มใช้งานชิปขนาด 256 กิกกะไบต์ก่อนและจะขยายศักยภาพของหน่วยความจำให้มีมากขึ้น โดยครอบคลุมไปถึงระดับเทระบิตบนชิปเดี่ยว
[caption id="attachment_174150" align="aligncenter" width="503"]
เวสเทิร์นดิจิตอลย้ำผู้นำตลาดผลิตชิปมิติแบบ96เลเยอร์[/caption]
“ความสำเร็จในการพัฒนาเทคโนโลยีชิป 3D NAND แบบ 96 เลเยอร์ เป็นรายแรกในอุตสาหกรรม โดย “BiCS4 สามารถจัดเก็บข้อมูลภายใต้โครงสร้าง 3 บิตต่อเซลล์ และ 4 บิตต่อเซลล์ นอกจากนี้ยังมีเทคโนโลยีและนวัตกรรมการผลิตเพื่อให้ชิป 3D NAND ได้มอบศักยภาพการเก็บข้อมูลได้อย่างสูงสุด ประสิทธิภาพการทำงาน และความน่าเชื่อถือในระดับสูงสุดด้วยราคาที่น่าดึงดูดใจสำหรับลูกค้าของเรา ผลิตภัณฑ์ในกลุ่ม 3D NAND ของเวสเทิร์น ดิจิตอล นั้นถูกออกแบบมาเพื่อตอบโจทย์ผู้บริโภคที่หลากหลาย อุปกรณ์เคลื่อนที่ การประมวลผล และศูนย์ข้อมูล”
ทั้งนี้เวสเทิร์น ดิจิตอล ยังเน้นในเรื่องการดำเนินงานของศูนย์การผลิตที่เกิดจากการร่วมทุนในญี่ปุ่นที่มีความแข็งแกร่งอยู่อย่างต่อเนื่อง โดย.2560 ผลผลิตหน่วยความจำเทคโนโลยีชิป 3D NAND แบบ 64 เลเยอร์จะมีสัดส่วนมากกว่า 75% ของการผลิต 3D NAND ทั้งหมด โดยเชื่อมั่นว่าการผนึกกำลังกับบริษัทคู่ค้า โตชิบา คอร์ปอเรชั่นจะทำให้ผลผลิตชิป 3D NAND แบบ 64 เลเยอร์ของบริษัทร่วมทุนทั้งหมดในปีปฏิทิน 2560 จะสูงกว่าผลผลิตของบริษัทผู้ผลิตทุกรายในอุตสาหกรรมภายในปีปฏิทิน 2560
จากหนังสือพิมพ์ฐานเศรษฐกิจ ปีที่ 37 ฉบับที่ 3,276 วันที่ 6 - 8 กรกฎาคม พ.ศ. 2560
ดร.ศิวะ ศิวะราม รองประธานบริหาร ฝ่ายเทคโนโลยีหน่วยความจำของบริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอลคอร์ปอเรชั่น เปิดเผยว่าบริษัทความสำเร็จในการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำชิป NAND แบบสามมิติ (3D NAND) รุ่นใหม่ล่าสุดซึ่งใช้ชื่อว่า “BiCS4” มาพร้อมศักยภาพการเก็บข้อมูลแนวตั้งแบบ 96 เลเยอร์ โดยคาดว่าลูกค้าที่รับจ้างผลิต (OEM) จะได้ทดสอบใช้งานเทคโนโลยีหน่วยความจำล่าสุดนี้ในช่วงครึ่งปีหลังตามปฏิทินพ.ศ. 2560 และเริ่มเดินสายการผลิตในปีตามปฏิทิน พ.ศ.2561 ทั้งนี้ “BiCS4” เกิดจากการพัฒนาร่วมกันระหว่าง บริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอล และบริษัทคู่ค้า โตชิบา คอร์ปอเรชั่น โดยเบื้องต้นจะเริ่มใช้งานชิปขนาด 256 กิกกะไบต์ก่อนและจะขยายศักยภาพของหน่วยความจำให้มีมากขึ้น โดยครอบคลุมไปถึงระดับเทระบิตบนชิปเดี่ยว
[caption id="attachment_174150" align="aligncenter" width="503"]
“ความสำเร็จในการพัฒนาเทคโนโลยีชิป 3D NAND แบบ 96 เลเยอร์ เป็นรายแรกในอุตสาหกรรม โดย “BiCS4 สามารถจัดเก็บข้อมูลภายใต้โครงสร้าง 3 บิตต่อเซลล์ และ 4 บิตต่อเซลล์ นอกจากนี้ยังมีเทคโนโลยีและนวัตกรรมการผลิตเพื่อให้ชิป 3D NAND ได้มอบศักยภาพการเก็บข้อมูลได้อย่างสูงสุด ประสิทธิภาพการทำงาน และความน่าเชื่อถือในระดับสูงสุดด้วยราคาที่น่าดึงดูดใจสำหรับลูกค้าของเรา ผลิตภัณฑ์ในกลุ่ม 3D NAND ของเวสเทิร์น ดิจิตอล นั้นถูกออกแบบมาเพื่อตอบโจทย์ผู้บริโภคที่หลากหลาย อุปกรณ์เคลื่อนที่ การประมวลผล และศูนย์ข้อมูล”
ทั้งนี้เวสเทิร์น ดิจิตอล ยังเน้นในเรื่องการดำเนินงานของศูนย์การผลิตที่เกิดจากการร่วมทุนในญี่ปุ่นที่มีความแข็งแกร่งอยู่อย่างต่อเนื่อง โดย.2560 ผลผลิตหน่วยความจำเทคโนโลยีชิป 3D NAND แบบ 64 เลเยอร์จะมีสัดส่วนมากกว่า 75% ของการผลิต 3D NAND ทั้งหมด โดยเชื่อมั่นว่าการผนึกกำลังกับบริษัทคู่ค้า โตชิบา คอร์ปอเรชั่นจะทำให้ผลผลิตชิป 3D NAND แบบ 64 เลเยอร์ของบริษัทร่วมทุนทั้งหมดในปีปฏิทิน 2560 จะสูงกว่าผลผลิตของบริษัทผู้ผลิตทุกรายในอุตสาหกรรมภายในปีปฏิทิน 2560
จากหนังสือพิมพ์ฐานเศรษฐกิจ ปีที่ 37 ฉบับที่ 3,276 วันที่ 6 - 8 กรกฎาคม พ.ศ. 2560
