
ราคาหน่วยความจำ ไตรมาสแรก ปี 69 พุ่งแรงทุบสถิติ DRAM จ่อเพิ่ม 95%
เทรนด์ฟอร์ซ ปรับคาดการณ์ราคาหน่วยความจำไตรมาส 1/2569 พุ่งกระฉูด หลังดีมานด์ AI-ดาต้าเซนเตอร์พุ่งแรงดัน DRAM ทะยาน 90-95% ขณะที่ NAND Flash จ่อขยับขึ้น 60% สูงสุดเป็นประวัติการณ์
KEY
POINTS
- TrendForce คาดการณ์ราคาหน่วยความจำในไตรมาส 1 ปี 2569 จะพุ่งสูงขึ้นทุบสถิติ โดย DRAM อาจเพิ่มขึ้น 90-95% และ NAND Flash เพิ่มขึ้น 55-60% (QoQ)
- สาเหตุหลักมาจากความต้องการใช้งานในกลุ่มปัญญาประดิษฐ์ (AI) และดาต้าเซ็นเตอร์ที่ขยายตัวต่อเนื่อง ทำให้เกิดภาวะอุปทานไม่เพียงพอทั่วโลก
- ราคาหน่วยความจำในกลุ่มอื่น ๆ ก็ปรับตัวสูงขึ้นรุนแรงเช่นกัน โดยเฉพาะ PC DRAM ที่อาจพุ่งเกิน 100% ขณะที่ Server DRAM และหน่วยความจำสมาร์ทโฟนคาดว่าจะเพิ่มขึ้นราว 90%
รายงานข่าวจาก เทรนด์ฟอร์ซ (TrendForce) เปิดเผยผลสำรวจอุตสาหกรรมหน่วยความจำล่าสุดระบุว่า ความต้องการใช้งานในกลุ่มปัญญาประดิษฐ์ (AI) และดาต้าเซ็นเตอร์ที่ยังคงขยายตัวอย่างต่อเนื่องในไตรมาส 1/2569 ส่งผลให้ภาวะความไม่สมดุลระหว่างอุปสงค์และอุปทานทั่วโลกทวีความรุนแรงขึ้น เพิ่มอำนาจการต่อรองราคาให้กับผู้ผลิตอย่างมีนัยสำคัญ
โดย เทรนด์ฟอร์ซ (TrendForce) ได้ปรับเพิ่มคาดการณ์ราคาล่วงหน้าสำหรับผลิตภัณฑ์หน่วยความจำ DRAM และ NAND Flash อย่างมีนัยสำคัญ ดังนี้:
- ราคาสัญญา DRAM ทั่วไป (Conventional DRAM): ปรับเพิ่มขึ้นเป็น 90-95% เมื่อเทียบกับไตรมาสก่อนหน้า (QoQ) จากเดิมที่คาดไว้เพียง 55-60%
- ราคาสัญญา NAND Flash: ปรับเพิ่มขึ้นเป็น 55-60% (QoQ) จากเดิมที่คาดไว้ 33-38% และมีแนวโน้มจะปรับตัวสูงขึ้นได้อีก
สำหรับตลาด PC DRAM พบว่ายอดส่งมอบคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล (PC) ในไตรมาส 4/2568 สูงกว่าที่คาดการณ์ไว้ ทำให้เกิดภาวะขาดแคลนหน่วยความจำในวงกว้าง แม้แต่ผู้ผลิตรายใหญ่ที่มีโควตาสินค้าแน่นอนยังเผชิญกับสต็อกที่ลดลง ส่งผลให้ราคาหน่วยความจำ PC DRAM ในไตรมาส 1/2569 มีแนวโน้มพุ่งสูงขึ้นกว่า 100% (QoQ) ถือเป็นการเพิ่มขึ้นรายไตรมาสที่สูงที่สุดเป็นประวัติการณ์
ด้านตลาดสมาร์ทโฟน ราคาล่วงหน้าของหน่วยความจำ LPDDR4X และ LPDDR5X คาดว่าจะพุ่งขึ้นราว 90% (QoQ) โดยการเจรจากับผู้ผลิตแบรนด์จีนคาดว่าจะมีความชัดเจนในช่วงปลายเดือนกุมภาพันธ์หลังผ่านพ้นเทศกาลตรุษจีน
อย่างไรก็ตาม ผู้ผลิตหน่วยความจำยังคงมองทิศทางบวกต่อกำไรของ DRAM ทำให้มีการโยกย้ายกำลังการผลิตบางส่วนจาก NAND Flash ไปยัง DRAM มากขึ้น ซึ่งจะยิ่งจำกัดการขยายตัวของฝั่ง NAND Flash และทำให้ภาวะสินค้าตึงตัวไม่สามารถแก้ไขได้ในระยะสั้น






